Toshiba представляет флеш-память NAND с последовательным интерфейсом для встраиваемых решений

Новая серия содержит устройства с плотностью данных 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит, выполненные в корпусах SOP (10,3 мм x 7,5 мм) или WSON (6,0 мм x 8,0 мм). Для всех сочетаний корпусов и плотности данных выпускаются устройства с номиналом входного напряжения 1,8 или 3,3 В.

Функции высокоскоростного последовательного чтения, встроенный код коррекции ошибок (ECC) с функцией сообщения об инвертировании разряда, а также встроенные средства защиты данных обеспечивают быстрый доступ к данным и их надежное и безопасное хранение.

Последовательный периферийный интерфейс позволяет управлять устройствами, используя всего шесть выводов, предоставляя пользователям доступ к флеш-памяти SLC NAND большой емкости с малым количеством выводов в миниатюрном корпусе. Память NAND с последовательным интерфейсом обладает значительно меньшей стоимостью на один бит по сравнению с решениями на основе флеш-памяти NOR, традиционно используемыми во встраиваемых системах. 

Для удовлетворения растущих требований заказчиков к функциональности встраиваемых устройств требуется увеличение плотности хранения данных. Это приводит к росту спроса на устройства памяти высокой емкости для хранения программного обеспечения (в том числе загрузочных программ, микропрограммного обеспечения и встроенных ОС) и данных (включая данные журналов), поэтому разработчики устройств переходят на использование флеш-памяти SLC NAND, обладающей высокой плотностью хранения данных и высокой надежностью.

Благодаря диапазону рабочих температур от -40 до +85 °C устройства могут использоваться в подавляющем большинстве бытовых и промышленных встраиваемых решений. Поставки ознакомительных образцов устройств в корпусах WSON и SOP начнутся в этом месяце, а начало серийного производства запланировано на декабрь 2015 г. Также ведется разработка устройств в корпусе BGA.