Toshiba расширяет ассортимент мощных МОП-транзисторов DTMOS IV со встроенными быстродействующими диодами

Транзистор TK5P60W5 (с параметрами ID = 4,5 А и RDS(ON) = 0,99 Ом) выпускается в самом миниатюрном корпусе в серии — DPAK (TO-252), а типовое время обратного восстановления его диода trr достигает 65 нс. Входная емкость Ciss, равная 370 пФ, и значение QG, составляющее всего 11,5 нКл, обеспечивают эффективное переключение.

Новый транзистор TK62N60W5 (значение RDS(ON) = 0,045 Ом) — самый большой МОП-транзистор серии в корпусе TO-247 с тремя выводами и максимальной выходной мощностью (ID = 61,8 А). Время обратного восстановления его диода trr составляет 170 нс, входная емкость Ciss 6500 пФ, а значение QG равно 205 нКл.

Кристаллы DTMOS IV-H изготавливаются по технологии Deep Trench компании Toshiba, обеспечивающей более низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) при повышенных температурах по сравнению с традиционными МОП-транзисторами на основе технологии Super Junction. Эта технология также обеспечивает снижение потерь при отключении (EOSS) по сравнению с технологиями предыдущих поколений. Сочетание менее значительного повышения RDS(ON) при увеличении температуры и более низкого значения trr диода позволяет достичь высокой эффективности и помогает проектировщикам снизить размеры устройств.

В настоящее время доступны ознакомительные образцы обоих устройств, начинается серийное производство TK62N60W5, а начало серийного производства TK5P60W5 запланировано на октябрь 2015 г.