Samsung представила карты памяти UFS 1.0 емкостью до 256 Гб на базе

11.07.2016 |

Компания Samsung Electronics представила на рынке первые внешние карты памяти, созданные на базе стандарта программного расширения JEDEC Universal Flash Storage (UFS) 1.0.

Карты можно будет использовать с мобильными устройствами, делающими снимки высокого качества, такими как: цифровые зеркальные камеры, 3D камеры виртуальной реальности, экшн-камеры и квадрокоптеры. Доступные в нескольких вариантах — 256, 128, 64 и 32 Гб — UFS-карты Samsung значительно повысят производительность мультимедиа устройств и поспособствуют развитию рынка внешних карт памяти.

«Наша новая UFS-карта 256 Гб — идеальное решение для пользователей, интересующихся технологиями, которое, к тому же, подтолкнет индустрию к созданию еще более мощного устройства, — сказал Ун-Су Ким (Un-Soo Kim), старший вице-президент подразделения выпуска устройств памяти и разработки приложений Samsung Electronics. — Запуская линейку мощных UFS-карт памяти большой емкости, мы меняем направление развития рынка устройств для хранения данных, ставя во главу угла их производительность и удобство для пользователей».

Внешняя карта памяти Samsung емкостью 256 Гб иллюстрирует тенденцию развития UFS-карт, которые улучшают впечатления пользователей от 3D игр и просмотра кино высокого разрешения. Они увеличивают скорость последовательного считывания в сравнении с традиционными microSD картами более чем в 5 раз, до 530 Мб/с — такой же показатель демонстрируют самые популярные SSD-накопители SATA. UFS-карты могут считать Full-HD фильм весом 5 Гб примерно за 10 секунд. При использовании обычных UHS-1 microSD карт на это уходит более 50 секунд при скорости последовательного считывания 95 Мб/с. Кроме того, скорость произвольного чтения новых UFS-карт емкостью 256 Гб составляет 40 000 операций ввода-вывода в секунду, что более чем в 20 раз выше скорости произвольного чтения типичных microSD карт, достигающей лишь 1 800 операций ввода-вывода в секунду.

Скорость записи UFS-карт емкостью 256 Гб составляет 35 000 произвольных операций ввода-вывода в секунду, что в 350 раз выше показателя обычных microSD карт (100 операций ввода-вывода в секунду). Скорость последовательной записи, в свою очередь, достигает 170 Мб/с, почти вдвое превышая производительность карт microSD. Благодаря этим улучшениям новые UFS-карты 256 Гб значительно сокращают время загрузки мультимедиа файлов и изображений, а также очищения буфера в режиме серийной съемки, что даст преимущества пользователям цифровых зеркальных камер.

Чтобы достичь лучшей производительности и более энергоэффективной передачи данных, UFS-карты оснащены функцией организации очередей команд и обеспечивают одновременные чтение и запись за счет использования выделенных трактов, увеличивающих скорость обработки информации в два раза.

Samsung активно работала над созданием UFS-решений, способствуя стандартизации спецификаций JEDEC Universal Flash Storage 2.0 в сентябре 2013 года и программного расширения Universal Flash Storage (UFS) 1.0 в марте 2016 года. Вслед за первым в своем роде встроенным UFS-чипом 128 Гб, представленным в январе 2015 года, компания успешно запустила встроенное UFS-решение для хранения данных емкостью 256 Гб для мобильных устройств премиального сегмента в феврале этого года. Ранее в этом месяце, Samsung также прошла программу сертификации Universal Flash Storage Association (UFSA), которая оценивает электрические и функциональные требования к совместимости UFS-карт. Новые карты Samsung первыми на рынке получили сертификат UFSA и право использовать официальный логотип UFS.